TSM2311CX-01 RFG
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TSM2311CX-01 RFG

Product Overview

المُصنّع:

Taiwan Semiconductor Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

TSM2311CX-01 RFG-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12900231
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TSM2311CX-01 RFG المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
640 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
TSM2311CX-01RFG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
taiwan-semiconductor

TSM60NB190CF C0G

MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S

taiwan-semiconductor

TSM160P02CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP

diodes

DMN2053U-7

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3

fairchild-semiconductor

FQAF28N15

MOSFET N-CH 150V 22A TO3PF